
在半導體先進制程持續迭代的今天,深紫外(DUV)光刻、化學機械研磨(CMP)、濕法刻蝕、離子注入等關鍵工藝,對環境潔凈度提出近乎苛刻的要求。氨氣(NH?)、鹽酸(HCl)、(HF)、NO?、TVOCs等痕量級空氣分子污染物(AMC),即便濃度低至 ppb 量級,也會引發光刻膠中毒、關鍵尺寸(CD)漂移、晶圓缺陷等問題,直接影響產品良率與長期可靠性。
杜克泰克 DK?S4500F?AMC 痕量級空氣分子污染物監測系統,基于腔增強吸收光譜(CEAS) 核心技術,融合多路徑高精度檢測方案,實現sub?ppb 級、秒響應、全天候連續監測,為半導體潔凈環境提供穩定可靠的污染監控解決方案。
系統采用多技術集成設計,覆蓋酸性、堿性、有機類等典型 AMC 污染物,滿足先進制程全場景監測需求:
EIMS 增強離子遷移譜:精準檢測 Ma 類污染物(HF、HCl、HNO?等),電離?遷移?探測三步定量,信號與濃度線性對應,數據穩定可信。
紫外脈沖熒光法:專項監測 NH?與 NO?,光學反應室配合高靈敏光電倍增管,檢出限<0.1ppb。
增強型 GC?FID/GC?PID:高效分析 MC 類污染物(DOP、DBP、DEP、BHT、TVOCs 等),以氫火焰離子化原理實現準確定量。
核心氣體檢測限低至0.1ppb,NH?<0.1ppb,量程比達 1:100000,準確度 ±2%,單通道響應時間僅5 秒,真正做到微量污染 “早發現、準測量、快響應"。
面向半導體廠區嚴苛環境,系統以高可靠性為核心:
全固態電子器件,無可移動部件,故障率低、抗干擾能力強。
出廠完成標定,免現場頻繁校準,長期穩定性優異。
斷電數據不丟失,2GB 大容量存儲可連續保存2 年數據(15 秒采樣間隔)。
低維護量、長免維護周期,大幅降低運維成本與停機風險。
采樣管路采用 PFA、PVDF 防腐材質,搭配低吸附 SiO?涂層不銹鋼閥組,采樣距離最遠可達80 米,全程低損耗、無二次污染。
系統支持4~64 通道多點采樣,通道數可按現場需求自由選配,每個通道采樣時間 1~99min 獨立可編程,可自定義吹掃與采樣順序,滿足光刻區、工藝機臺、廠務風路等多點同時監控。適配場景覆蓋:
DUV 及先進光刻區 AMC 實時監控
CMP 與濕法刻蝕區域酸性 / 堿性氣體監測
離子注入、薄膜沉積區域 AMC 控制
廠務送風 / 回風溯源、過濾器效能管理
配備7 英寸觸摸屏,支持數值、表格、趨勢曲線多形式展示,界面直觀易操作。系統提供RS232、4?20mA、Modbus等開放通訊協議,可快速接入 MES / 廠務監控系統,支持遠程操作與數據可視化管理。數據支持 U 盤、USB、以太網、串口多種方式導出,便于追溯、分析與合規存檔,同時配備獨立可編程報警與繼電器輸出,異常即刻響應,保障生產安全。
檢測下限:HF/HCl/NO?等0.1ppb,NH?<0.1ppb
響應時間:單通道5 秒
準確度:±2%
通道數:4~64 通道可選
采樣距離:最遠80 米
工作電源:115–230Vac 50/60Hz
數據存儲:約 2GB,可存2 年連續數據
DK?S4500F?AMC痕量級空氣分子污染物監測系統以超痕量檢測、高穩定運行、全域化覆蓋、智能化管理,成為半導體先進制程AMC監測的優選方案,助力企業提升良率、保障品質、控制風險。
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